DH-350 PECVD等离子体增强化学气相沉积设备
本设备由我公司和中国科学院材料物理重点实验室联合研制，设备由沉积室、涡
轮分子泵抽气系统、上下电极、气路系统、射频电源和温控系统以及设备控制系统等。
主要用于制备氧化锌纳米线阵、太阳能薄膜电池、SiO2钝化膜、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC等介电、半导体及金属膜等。
主要技术参数：
◆沉积室：Φ350mm×H400mm,立式前开门结构，旁抽气系统，腔体水冷；
◆基片台尺寸：Φ100mm，旋转加热，室温至600℃可调可控，温差≤3℃；
◆基片台运动：转速0～20RPM/min、磁流体密封；
◆电源：射频电源500W，13.560MHZ；配自动匹配器；
◆真空系统：分子泵高真空系统，从大气抽到10-3Pa小于或等于20分钟；
◆进气系统：四路质量流量计配混气室；
◆极限真空：6.7×10-5Pa；
◆控制系统：手动控制抽真空；
◆电源电压：AC 380V 50Hz；
◆报警及保护：对缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警及相应保护措施。
