电表面电荷密度被认为是促进TENG输出产生的关键因素，可以通过TENG输出直接反映出来。同时，表面电荷产生和维持是与环境密切相关的，例如光电检测材料的照明条件。因此，表面电荷密度也可用于有源光电检测。受到这种机制的启发，2015年，Su等人设计了一个类似的自驱动光电探测器，整个装置采用接触分离类型的TENG。感光MAPb13-Ti0:层能在300至780 nm处具有吸收峰，这意味着该多层结构不仅可以检测UV光，而且可以检测可见光。此外，仅包含Ti0:层的对照样品只能吸收UV光。当设备在100 W/cm2的太阳模拟器照射下操作时，输出电压直接从8V降低到约SV。当模拟器的开关关闭时，输出电压迅速恢复到8V。该光电探测器的机理主要是由于光诱导的表面电荷密度变化。这项工作说明了通过改变关键参数一表面电荷密度，结合TENG作为光电探测器的新机制。尽管钙钦矿材料具有优异的光敏和宽带光吸收，但其半导体特对于在其表面上保持高电荷密度是不利的。为了解决这个问题，Su等人，设计了一种基于错钦酸铅(PZT)薄膜的自供电紫外光电探测器。器件上部采用铜薄膜作为层和顶部电极，底部采用透明氟掺杂的氧化锡(FTO)作为底部电极薄膜同时作为UV光敏材料和层材料。观察到所测量的导电率在有照度时是没有照射的9倍，这导致表面电荷的泄漏。因此，一旦暴露在紫外光下，器件的短路电流明显下降。