科研实验专用 一氧化硅靶材SiO磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发料
产品介绍
一氧化硅(SiO)常温常压下为黑棕色至黄土色无定形粉末，难溶于水，能溶于稀氢氟酸和硝酸的混酸中并放出四氟化硅，熔点：1702°C，沸点：1880°C，密度2.13g/cm³，一氧化硅不太稳定，在空气中会氧化成二氧化硅膜而钝化，仅在高于1200℃才稳定；在氧气中燃烧，和水反应生成氢气。一氧化硅微粉末因极富有活性，可作为精细陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料；用作光学玻璃和半导体材料的制备；在真空中将其蒸发，涂在光学仪器用的金属反射镜面上，作为保护膜；半导体材料的制备。
产品参数
中文名 一氧化硅 化学式 SiO 分子量 44.08
熔点 1702℃ 沸点 1880℃ 密 度 2.13g/cm3
纯度 99.99% 外观 黑棕色至黄土色无定形粉末
支持靶材定制，请提供靶材产品的元素、比例（重量比或原子比）、规格，我们会尽快为您报价！！
服务项目：靶材成份比例、规格、纯度均可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！
产品附件：发货时产品附带装箱单/质检单/产品为真空包装
适用仪器：多种型号磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备
质量控制：严格控制生产工艺，采用辉光放电质谱法GDMS或ICP光谱法等多种检测手段，分析杂质元素含量保证材料的高纯度与细小晶粒度；可提供质检报告。
加工流程：熔炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装出库
陶瓷化合物靶材本身质脆且导热性差，连续长时间溅射易发生靶裂情况，绑定背靶后，可提高化合物靶材的导热性能，提高靶材的使用寿命。我们强烈建议您，选购陶瓷化合物靶材一定要绑定铜背靶！
我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊厚度约为0.2mm，高纯无氧铜作为背靶。
注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材工作温度超过熔点会导致铟熔化！绑定背靶不影响靶材的正常使用！
建议：陶瓷脆性靶材、烧结靶材，高功率下溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。
