标称频率（Fn）： 4MHz～100MHz

封装模式： 3×8

调整频差 ： ±5～±30ppm at 25℃±2℃

谐振电阻（Rr）： ≤120Ω

负载电容（CL）： 12PF～20PF

温度频差（FL-T）： ±20ppm

工作温度范围(OTR)： -20℃ ~ +70℃

储存温度范围(STR)： -40℃ ~ +85℃

激励功率： 10uW

静态电容（Co）： ＜4.0PF

绝缘电阻： ≥500MΩ（DC100V±15V）

测试仪器： KH1240、250B

年老化率： ≤±3ppm/年

其它： 印字标志清晰；外表光洁，无损伤。