一、EL的测试原理
晶体硅太阳电池外加正向偏置电压，电源向太阳电池注入大量非平衡载流子，电致发光依靠从扩散区注入的大量非平衡载流子不断地复合发光，放出光子；再利用CCD相机捕捉到这些光子，通过计算机进行处理后显示出来，整个的测试过程是在暗室中进行，通过分析采集的图像特种就能分辨出电池片和组件的潜在缺陷。
二、EL图像分析
1.隐裂
硅材料的脆度较大，因此在电池生产强度决定于正向注入电流密度和少子扩散长度过程中，很容易产生裂片，裂片分两种，一种是显裂，另一种是隐裂。前者是肉眼可直接观察到，但后者则不行。后者在组件的制作过程中更容易产生碎片等问题，影响产能。通过EL图就可以观测到。
2.断栅
印刷不良导致的正面银栅线断开，EL图中显示为黑线状。这是因为栅线断掉后，从busbar上注入的电流在断栅附近的电流密度较小，致EL发光强度下降。
3.烧结缺陷
一般而言，烧结参数没有优化或设备存在问题时，EL图上会显示网纹印。采取顶针式或斜坡式的网带则可有效消除网带问题。
4."黑心"片
直拉单晶硅拉棒系统中的热量传输过程对晶体缺陷的形成与生长起着决定性的作用。提高晶体的温度梯度, 能提高晶体的生长速率, 但过大的热应力极易产生位错。 在“黑心”片的EL图中可以清楚地看到清晰的旋涡缺陷, 它们是点缺陷的聚集, 产生于硅棒生长时期。此种材料缺陷势必导致硅的非平衡少数载流子浓度降低，降低该区域的EL发光强度。
5."漏电"问题
在电池正面银浆印刷时，由于硅片表面存在划伤，浆料进入裂缝的pn结位置，分选的IV测试加12V反压时，直接导致正面pn结烧穿短路。因此，EL测试时，该区域显示为黑色。