半导体测试设备
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产品品牌深圳力钛科
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更新日期2025-05-12 09:48
品牌： |
深圳力钛科 |
所在地： |
广东 |
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有效期至： |
长期有效 |
电流： |
0--6000A |
力钛科LETAK功率器件静态参数测试系统，集多种测量功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件 (如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体 等)的静态参数，具有高电压和大电流特性、μQ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能力等特点。支持高压模式下功率器件结电容测试，如 输入电容、输 出电容 、 反向传输电容等。
被测对象及主要测试参数
被测对象 | 主要测试参数 |
分立器件 | Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管 |
双极 | Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、QSCV等 |
内存 | Vth、电容、耐久测试等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容 |
IGBT | Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿 |
太阳能电池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。 |
纳米器件 | 电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流 |
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